还不赶快来体验！！！

        顾律没意见，“行，我们过去。”

        三人换上深棕色的实验服，戴上一次性口罩，在张主任的带领下推开宽禁带半导体实验室的门走进去。

        宽禁带半导体是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（等）之后，发展起来的第三代半导体材料。

        该类半导体之所以被称之为宽禁带半导体，是因为其禁带宽度较宽。

        第一第二代半导体的禁带宽度一般在1.0eV到1.5eV左右。

        但宽禁带半导体的禁带宽度却是大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。

        禁带宽度对于半导体器件性能有着举足轻重的影响，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度。

        禁带宽度越宽，耐压和耐高温的性能越强。

        因此，在诸多性能上，第三代的宽紧带半导体是要优于第一代和第二代的。

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