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        “唉！”张主任听后长叹口气，“这么久的努力，原来都是做了无用功啊！”

        顾律在一旁看着长吁短叹的两人，犹豫了一下开口问道，“张主任，你们是遇到了什么难题了吗？”

        张主任没有隐瞒。

        “准确的说，不是我们研究所遇到了什么难题，而是整个宽禁带半导体领域都遇到了一个难题。”

        张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。

        在目前的半导体领域，掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。

        通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。

        但作为IV族元素，C杂质在GaN中具有两性特征，既可替代N原子，也可替代Ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使GaN中C的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。

        所以说，确定C杂质在GaN中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。

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